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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
Web 结果15 小时之前 在中国，电动汽车和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。作 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...Web 结果15 小时之前 在中国，电动汽车和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。作
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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
Web 结果22 小时之前 该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，采用PVT法(物理气相传输工艺)生产 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...Web 结果22 小时之前 该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，采用PVT法(物理气相传输工艺)生产
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半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解； - 知乎专栏
Web 结果2024年2月18日 SiC衬底减薄. 研磨设备通常被用于对 SiC 衬底和 SiC 晶圆进行减薄，由于 SiC 材料硬度较高，需采用专用研磨液，设备也需要做相应调整。SiC研磨 半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解； - 知乎专栏Web 结果2024年2月18日 SiC衬底减薄. 研磨设备通常被用于对 SiC 衬底和 SiC 晶圆进行减薄，由于 SiC 材料硬度较高，需采用专用研磨液，设备也需要做相应调整。SiC研磨
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首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有
Web 结果2020年10月21日 晶体生长及晶体加工、芯片制造和 芯片封装. 以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1.碳化硅晶体生长及加工关键设备. 主要包括: 碳化硅粉料合成设备. 用于制备生长碳化 首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有 Web 结果2020年10月21日 晶体生长及晶体加工、芯片制造和 芯片封装. 以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1.碳化硅晶体生长及加工关键设备. 主要包括: 碳化硅粉料合成设备. 用于制备生长碳化
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产
Web 结果2022年3月2日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电 桩、光伏新能源、轨道交 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产 Web 结果2022年3月2日 碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大 提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电 桩、光伏新能源、轨道交
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造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_中国
Web 结果2023年5月21日 碳化硅器件生产各工艺环节关键设备. 由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？_工艺_碳化硅_中国Web 结果2023年5月21日 碳化硅器件生产各工艺环节关键设备. 由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金
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产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻
Web 结果2022年12月15日 国产厂商齐发力切磨抛设备. 除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻Web 结果2022年12月15日 国产厂商齐发力切磨抛设备. 除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高
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碳化硅制造市场现状及设备国产化分析（6500字）
Web 结果2024年1月20日 详情. 碳化硅制造市场规模在不断增长，但供货能力有限，需要掌握高精尖技术和扩大供货能力以应对市场需求。 CVD设备和CCP刻蚀机分别用于LED、 碳化硅制造市场现状及设备国产化分析（6500字）Web 结果2024年1月20日 详情. 碳化硅制造市场规模在不断增长，但供货能力有限，需要掌握高精尖技术和扩大供货能力以应对市场需求。 CVD设备和CCP刻蚀机分别用于LED、
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2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 知乎
Web 结果2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续2-3年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展机遇 ... 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 知乎Web 结果2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续2-3年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展机遇 ...
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多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎
Web 结果2024年2月18日 碳化硅的切磨抛既直接关系到衬底加工的效率和产品良率，又能间接降低国产厂商的生产成本，进而对碳化硅的市场推广产生积极影响。从技术路线上来说，国内外切磨抛环节的差距不大，但在设备的精度和稳定性上，国产设备仍需持续发力，以进一步提高市场竞争力。 多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎Web 结果2024年2月18日 碳化硅的切磨抛既直接关系到衬底加工的效率和产品良率，又能间接降低国产厂商的生产成本，进而对碳化硅的市场推广产生积极影响。从技术路线上来说，国内外切磨抛环节的差距不大，但在设备的精度和稳定性上，国产设备仍需持续发力，以进一步提高市场竞争力。
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半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解； - 知乎专栏
Web 结果2024年2月18日 三、SiC 晶圆制造设备. 在制程上, SiC芯片大部分的工艺流程与硅基器件类似,主要涉及清洗机、光刻机、LPCVD (低压化学气相沉积)、蒸镀等常规设备,但SiC芯片制备还需要一些特殊的生产设备,除了高温离子注入机外, SiC还需要特殊的高温热处理设备 (高温退火炉 ... 半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解； - 知乎专栏Web 结果2024年2月18日 三、SiC 晶圆制造设备. 在制程上, SiC芯片大部分的工艺流程与硅基器件类似,主要涉及清洗机、光刻机、LPCVD (低压化学气相沉积)、蒸镀等常规设备,但SiC芯片制备还需要一些特殊的生产设备,除了高温离子注入机外, SiC还需要特殊的高温热处理设备 (高温退火炉 ...
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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
Web 结果15 小时之前 在中国，电动汽车和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA TePla集团始终致力于融合中德前沿技术优势。 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...Web 结果15 小时之前 在中国，电动汽车和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA TePla集团始终致力于融合中德前沿技术优势。
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碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
Web 结果2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ... 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺Web 结果2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...
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碳化硅产品的应用方向和生产过程 - 知乎
Web 结果2022年3月7日 来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》 工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越 碳化硅产品的应用方向和生产过程 - 知乎Web 结果2022年3月7日 来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》 工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越
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行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...
Web 结果2023年2月26日 衬底环节是碳化硅器件制造中最核心、最困难的环节。碳化硅衬底价格高是制约 碳化硅应用落地的主要原因。由于切片环节良率较低，切抛磨环节约占衬底总成 本的2/3，切磨抛设备是衬底加工最核心的设备，国产化率约20%。根据我们测 算，预计2025 年中国车 行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...Web 结果2023年2月26日 衬底环节是碳化硅器件制造中最核心、最困难的环节。碳化硅衬底价格高是制约 碳化硅应用落地的主要原因。由于切片环节良率较低，切抛磨环节约占衬底总成 本的2/3，切磨抛设备是衬底加工最核心的设备，国产化率约20%。根据我们测 算，预计2025 年中国车
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本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ - 知乎专栏
Web 结果2021年10月15日 本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！. 近些年来，随着汽车和工业的升级，以SiC为代表的第三代化合物开始受到行业的青睐。. 根据Yole预测，2018-2024年，全球SiC功率器件市场规模将由4.20亿美元增长至19.29亿美元，CAGR高达29%，其中电动汽车市场是最大驱动力，预计 ... 本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ - 知乎专栏Web 结果2021年10月15日 本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！. 近些年来，随着汽车和工业的升级，以SiC为代表的第三代化合物开始受到行业的青睐。. 根据Yole预测，2018-2024年，全球SiC功率器件市场规模将由4.20亿美元增长至19.29亿美元，CAGR高达29%，其中电动汽车市场是最大驱动力，预计 ...
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碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎
Web 结果2023年3月13日 晶体制备. 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。. 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：. 温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输法（PVT）为 ... 碳化硅 ~ 制备难点 - 知乎Web 结果2023年3月13日 晶体制备. 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。. 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：. 温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输法（PVT）为 ...
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打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...
Web 结果22 小时之前 中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力 ...Web 结果22 小时之前 中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生
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简述碳化硅的生产制备及其应用领域-专题-资讯-中国粉
Web 结果2017年4月21日 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。. 黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。. 但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以下问题：（1）生产设备不 简述碳化硅的生产制备及其应用领域-专题-资讯-中国粉 Web 结果2017年4月21日 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。. 黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。. 但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以下问题：（1）生产设备不
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技术碳化硅产业链条核心：外延技术 - 知乎
Web 结果2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术. 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。. 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工 ... 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 - 知乎Web 结果2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术. 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。. 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工 ...
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我想了解一下碳化硅的生产工艺？ - 知乎
Web 结果2021年12月24日 如赵争鸣教授强调的那样，SiC器件的快速发展将经历从理想优势到应用效益的转变，人们先是期待获得高频、高压、高温等优异的特性，也得到了一些好处，效率提高很多，但也发现了大量问题，在实际现场大规模使用SiC MOSFET仍处在一个两难的阶段。. 因此，要 ... 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ - 知乎Web 结果2021年12月24日 如赵争鸣教授强调的那样，SiC器件的快速发展将经历从理想优势到应用效益的转变，人们先是期待获得高频、高压、高温等优异的特性，也得到了一些好处，效率提高很多，但也发现了大量问题，在实际现场大规模使用SiC MOSFET仍处在一个两难的阶段。. 因此，要 ...
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晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造 ...
Web 结果2023年7月17日 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台价值量远高于光伏。. 长晶工艺 ... 晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造 ...Web 结果2023年7月17日 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台价值量远高于光伏。. 长晶工艺 ...
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...
Web 结果2022年3月22日 掌握了碳化硅晶 片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全 流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅 ... 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...Web 结果2022年3月22日 掌握了碳化硅晶 片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全 流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅 ...
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碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...
Web 结果2022年3月2日 原料合成：将高纯的硅粉+碳粉按配方混合，在 2,000℃以上的高温条件下于反应腔 室内进行反应，合成特定晶型和颗粒度的碳化硅颗粒。再经过破碎、筛分、清洗等 工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅粉原料。晶体生长：为碳化硅衬底制造最核心工艺 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...Web 结果2022年3月2日 原料合成：将高纯的硅粉+碳粉按配方混合，在 2,000℃以上的高温条件下于反应腔 室内进行反应，合成特定晶型和颗粒度的碳化硅颗粒。再经过破碎、筛分、清洗等 工序，制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅粉原料。晶体生长：为碳化硅衬底制造最核心工艺
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...
Web 结果2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ... 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...Web 结果2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ...
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第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
Web 结果2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎Web 结果2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。
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一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉-一张图-资讯 ...
Web 结果2022年5月11日 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 36507人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉-一张图-资讯 ...Web 结果2022年5月11日 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉. 2022-05-11. 来源：中国粉体网 山川. 36507人阅读. 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片. [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉.
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德国PVA TePla集团展示"中国版“”碳化硅晶体生长设备“SiCN”
Web 结果22 小时之前 2024年3月20日， 半导体 行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产 碳化硅 晶体生长设备“SiCN”。. 该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国 ... 德国PVA TePla集团展示"中国版“”碳化硅晶体生长设备“SiCN”Web 结果22 小时之前 2024年3月20日， 半导体 行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产 碳化硅 晶体生长设备“SiCN”。. 该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国 ...
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